(1)液晶电容和存储电容：根据TFT液晶屏的结构可知，在上下两层玻璃间夹着液晶，液晶是容性材料，其等效电容一般称为液晶电容CLC，它的大小约为O.lpF，但是实际应用上，这个电容并无法将电压保持到下一次再更新画面数据的时候，也就是说当TFT对这个电容充好电时，它并无法将电压保持住，直到下一次TFT再对此点充电的时候（以一般60Hz的画面更新频率，需要保持约16ms的时间），这样一来，电压有了变化，所显示的灰阶就会不正确，因此，一般在面板的设计上，会再加一个储存电容Cs（一般由像素电极与公共电极走线形成），其容量约为0.5pF，以便让充好电的电压能保持到下一次更新画面的时候。(2)薄膜晶体管(TFT)：薄膜晶体管简称TFT器件，也称TFT开关管，它是基于场效应管的原理制作而成的，也就是说，TFT器件是一种利用电场效应来控制电流的管子。因为参与导电的只有一种极性的载流子，所以，TFT器件是一种单极性器件。TFT器件也有3个电极，即源极S（相当于三极管的E极，、栅极G(相当于三极管的B极，和漏极D(相当于三极管的C极，。但二者的控制特性却截然不同，三极管是电流控制器件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，即需要信号源提供一定的电流才能工作，因此，它的输入电阻较低；：TFT器件则是电压控制器件，它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以，它的输入阻抗很高。此外，TFT器件还具有开关速度快、高频特性好、热稳褪性好、噪声小等优点。TFT器件主要有a-Si（非晶硅）和P-Si（多晶硅）两种，其中，P-Si（多晶硅）处于起步和发展阶段，a-Si则应用比较广泛。TFT器件工作时，像一个电压控制的双向开关，当栅极G不施加电压时，TFT器件处于截止状态（关断状态），即源极S与漏极D不能接通，此时栅极G与源极S(或漏极D)之间的电阻称为关断电阻ROFF。由于栅极G的漏电流极小或没有，所以，ROFF非常高，一般为107Q以上。当在栅极G上施加一个大于其导通电压的正电压时，由于电场的作用，TFT器件将处于导通状态，即源极S与漏极D接通，此时源极S与漏极D之间的电阻称为导通电阻R側，它随栅极电压的增加而减小。对于TFT器件，其源极S和漏极D特性一样，功能可以互换，源极S和漏极D之间电流方向随它们之间电场方向的变化而变化。源极和漏极是在应用电路中被定义的，一般将输入信号端称为源极S，将输出信号端称为漏极D。在TFT液晶显示屏中，—一般将接数据驱动器端接TFT器件的源极S，像素端接TFT器件的漏极D。